集成電路內部斷鍵線的X射線圖象

在IC外殼內的半導體背面的模附空隙?？障洞笮『头植纪耆詣哟_定

發光二極管內球鍵的高倍率X射線成像。黃金線是25μm寬。

貼片電感的CT圖像，型號0805（2毫米×1.2毫米）。三維X射線圖像顯示端蓋后面的內部線圈。在任何傳統X線、層可以重疊，但nanoCT成功逐層顯示對象層。

印刷電路板上功率晶體管的焊接表面。右邊的兩個光點是兩個大的圓形孔洞。

陶瓷襯底上功率半導體的釬焊表面。通過厚的銅散熱片、基板的空隙可見。半導體的焊點沒有空洞。即使是薄的鋁鍵線也是可見的。

鎢銅套管陶瓷混合組件的釬焊表面。在圖像的中心，五個通孔是可見的，其中兩個沒有完全填補焊料，因此在背景中突出。此外，金鍵線是可見的。

微焦點計算機一卷曲的卷曲高度1.4毫米連接斷層。為了確定單個股數和壓邊密度，三個層析層，入口區，出口區和卷曲區本身（綠色）產生：19股進入，但只有17退出卷曲區。由于缺乏材料，在壓接區內部形成了小的空洞。

微焦點計算機一λ探針層析成像（連接器側視圖）顯示inconell保護盒（黃色），包括激光焊接、壓接連接（藍色）和陶瓷氧傳感器觸點（藍色/紅色）

電動機定子繞組上的兩條斷絲。

斜觀微焦點X射線圖像四觸點在繼電器。由于太緊左側接觸失敗。